Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 212 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- RS品番:
- 244-1568
- メーカー型番:
- BSZ065N06LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 1500 - 1995 | ￥240.20 | ￥1,201 |
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- RS品番:
- 244-1568
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- BSZ065N06LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 212A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | BSZ | |
| パッケージ型式 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 212A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ BSZ | ||
パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon BSZシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流212A - BSZ065N06LS5ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい電子システムにおける表面実装電力管理用に設計された高電流Nチャンネルスイッチングデバイスです。広い温度範囲で動作し、大きな連続ドレイン電流と低順方向電圧での効率的な伝導を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 212Aの連続ドレイン電流により、持続的な高電流性能を実現
• 0.7mΩ Rds(on)により、導通損失を最小限に抑え、効率を向上
• 81Wの最大消費電力により、高い熱負荷に対応
• 1.2Vの順方向電圧により、負荷時の電圧降下を低減
• 80nCの標準ゲート充電により、高速スイッチング性能を実現
• 最大20Vのゲートソース定格により、ゲートを過電圧から保護
• 0.7mΩ Rds(on)により、導通損失を最小限に抑え、効率を向上
• 81Wの最大消費電力により、高い熱負荷に対応
• 1.2Vの順方向電圧により、負荷時の電圧降下を低減
• 80nCの標準ゲート充電により、高速スイッチング性能を実現
• 最大20Vのゲートソース定格により、ゲートを過電圧から保護
用途
• パワーステージの高電流DC-DCコンバータに最適
• モータードライブハーフブリッジおよびHブリッジ設計に最適
• バッテリ保護および配電モジュールに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 産業用制御ユニットの高出力スイッチングに適用可能
• モータードライブハーフブリッジおよびHブリッジ設計に最適
• バッテリ保護および配電モジュールに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 産業用制御ユニットの高出力スイッチングに適用可能
このデバイスは、動作中にどのような温度範囲に耐えられますか?
-55°C～+150°Cで動作するため、過酷な温度環境でも使用できます。
このコンポーネントは、プリント基板組立用にどのようにパッケージされていますか?
コンパクトな基板実装用の8ピンSuperSO8 5x6表面実装パッケージに収められています。
スイッチングにはどのようなゲートドライブに関する考慮事項が必要ですか?
ドライブ回路は、目的のスイッチング速度を達成し、最大20 VのVgs制限を遵守するために、標準的な80 nCのゲート電荷に対して十分な充電を提供する必要があります。
どのようなチャンネル伝導を実現しますか?
ローサイドまたはハイサイドスイッチングトポロジで電流フローを向上させるように設計されたNチャンネルデバイスです。
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