Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 212 A N, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO8 5 x 6

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール5000個入り) 小計：*

￥464,805.00

(税抜)

￥511,285.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,000 は 2026年2月12日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000￥92.961￥464,805
10000 - 45000￥92.017￥460,085
50000 - 70000￥90.171￥450,855
75000 - 95000￥88.366￥441,830
100000 +￥86.604￥433,020

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
241-9680
メーカー型番:
BSZ040N06LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

BSZ

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSTM 5 Nチャンネルロジックレベルパワー MOSFETは、ドレインソース電圧(VDS)60V、ドレイン電流(ID)が101Aです。ロジックレベルは、ワイヤレス充電、アダプタ、電気通信アプリケーションに適しています。このデバイスの低ゲート電荷（Q g）は、伝導損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。性能指数（figues of merit）が改善されているため、高いスイッチング周波数での動作が可能です。さらに、ロジック・レベルドライブは低ゲートしきい値電圧（V GS(th)）を提供するため、MOSFETを5Vでマイクロコントローラーから直接駆動できます。

高性能 SMPS (例:同期整流)向けに最適化されています

100 %アバランシェ試験済み

優れた耐熱性

Nチャンネル

ターゲット用途向けのJEDEC1準拠に対応

鉛フリーリードめっき

RoHS適合

IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

関連ページ