Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 212 A N, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO8 5 x 6

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RS品番:
241-9682
メーカー型番:
BSZ075N08NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

BSZ

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSTM 5 NチャンネルMOSFETは、ドレインソース電圧(VDS)が80 V、ドレイン電流(ID)が73 Aです。前世代と比較してRDS(on)を43%低減し、高スイッチング周波数、レギュレータなどに最適です。特に電気通信やサーバー電源の同期整流用に設計されています。さらに、ソーラー、低電圧ドライブ、アダプターなど、その他の産業用アプリケーションにも利用できます。

高周波スイッチングと同期整流に最適化されています。

DC/DCコンバータ用に最適化された技術

優れたゲート充電 x RDS(on)製品(FOM)

IEC61249-2-21RDS(on)

100 % アバランシェ試験済み

Nチャンネル、標準レベル

JEDEC1 準拠の認定

鉛フリーリードめっき

RoHS適合

IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

ソース相互接続を拡張によりはんだ接合の信頼性を高める

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