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Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 40 V, 20 A, 7.2 mΩ, 52 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	SuperSO8 5 x 6
	シリーズ	BSC072N04LD
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	7.2mΩ
	最大許容損失Pd	65W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	52nC
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	IEC climatic Category, DIN IEC 68-1:55/175/56
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6
	シリーズ BSC072N04LD
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.2mΩ
	最大許容損失Pd 65W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 52nC
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 IEC climatic Category, DIN IEC 68-1:55/175/56
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Infineon OptiMOS T2パワートランジスタは、優れた熱抵抗を備えたデュアル Nチャンネル MOSFET です。IEC61249-2-21に準拠したハロゲン未使用です。

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