Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 40 V, 212 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ:TSDSON-8 FL

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール5000個入り) 小計:*

¥640,905.00

(税抜)

¥704,995.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 5,000 2027年3月11日 に入荷予定
  • 5,000 2027年4月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000¥128.181¥640,905
10000 - 45000¥126.888¥634,440
50000 - 70000¥124.343¥621,715
75000 - 95000¥121.862¥609,310
100000 +¥119.43¥597,150

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
241-9886
メーカー型番:
BSZ0500NSIATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TSDSON-8 FL

シリーズ

BSZ

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS 5パワートランジスタは、高性能バックコンバータ向けに最適化されたNチャンネルパワーMOSFETです。鉛未使用リードめっきが施されています。

モノリシック統合ショットキーライクダイオード

超低オン抵抗

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。