Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 40 A N, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON-8 FL, BSZ0803LSATMA1

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梱包形態
RS品番:
234-6991
メーカー型番:
BSZ0803LSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

BSZ

パッケージ型式

TSDSON-8 FL

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20.8mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

52W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.6nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1.2mm

長さ

5.35mm

規格 / 承認

No

幅

6.1 mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS ™ PD N チャネルパワー MOSFET は、 USB-PD 及びアダプタの用途に対応します。この製品は、高速ランプアップと最適化されたリードタイムを実現します。OptiMOS ™低電圧 MOSFET は、電力供給に適しており、部品数の少ない設計で BOM コストを削減し、小型軽量のパッケージに高品質の製品を搭載しています。40 A の最大連続ドレイン電流と 100 V の最大ドレインソース電圧を備えており、高周波スイッチングに最適で、充電器向けに最適化されています。

ロジックレベルの可用性

低オン抵抗（ RDS （ on ））

ゲート、出力、逆回復電荷量が低くなっています

優れた温度特性

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリーリードめっき

IEC61249-2-21 準拠のハロゲンフリー

RoHS対応

2 つの小型標準パッケージで提供されています

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