Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 192 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRF100S201

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梱包形態
RS品番:
242-0991
メーカー型番:
IRF100S201
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

192A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IPA

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.9mΩ

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

InfineonシングルNチャンネルパワーMOSFETは、最大ドレイン電流が192 Aです。パワーMOSFETの動作温度は-55 → 175 °Cです。性能と堅牢性が求められる低周波数用途に最適です。

販売パートナーから最も幅広く入手できるように最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

業界標準の表面実装パッケージ

高電流定格

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