2 Infineon MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル, 4.7 A -55 V, 8-Pin パッケージSOIC
- RS品番:
- 243-9287
- メーカー型番:
- AUIRF7343QTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 243-9287
- メーカー型番:
- AUIRF7343QTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -55V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.11mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -55V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.11mΩ | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon AUIRF7343QTR EXFET®パワーMOSFETは、車載用途向けに特別に設計されています。デュアルSO-8パッケージに最新の処理技術を採用し、シリコン面積当たりの低いオン抵抗を実現します。 他にも、150℃のジャンクション動作温度、高速スイッチング速度、改良された繰り返しアバランシェ定格などの特長があります。
高度な平面テクノロジー
超低オン抵抗
ロジックレベルゲートドライブ、
デュアルN / PチャンネルMOSFET
表面実装
テープ / リール
動作温度: 150 °C
鉛不使用、RoHS準拠