2 Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 5.1 A, 表面 55 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8
- RS品番:
- 223-8452
- メーカー型番:
- AUIRF7341QTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥163.35 | ￥653,400 |
| 8000 - 36000 | ￥159.365 | ￥637,460 |
| 40000 - 56000 | ￥155.38 | ￥621,520 |
| 60000 - 76000 | ￥151.394 | ￥605,576 |
| 80000 + | ￥147.409 | ￥589,636 |
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- RS品番:
- 223-8452
- メーカー型番:
- AUIRF7341QTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 500mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 3 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 幅 | 4 mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 500mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 29nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 3 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
幅 4 mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFETパワーMOSFETは、デュアルSO-8パッケージに収められ、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積あたりのオン抵抗を極めて低く抑えています。また、効率的なSO-8パッケージにより、熱特性が向上し、デュアルMOSFETダイの機能を備えるため、様々なパワーアプリケーションに最適です。
先進のプレーナー技術
ダイナミックdV/dT定格
ロジックレベルゲート駆動
動作温度：175 °C
高速スイッチング
鉛未使用
RoHS準拠
車載用認定