Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 180 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
244-0945
メーカー型番:
IPD80R280P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

800V CoolMOS P7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、性能、使いやすさ、価格対性能比が要求される市場に向けた製品で、低消費電力SMPSアプリケーションに最適です。主に、アダプタや充電器、LEDドライバ、オーディオSMPS、AUX、産業用電源などのフライバックアプリケーションに焦点を当てています。 全体として、BOMコストを削減し、組み立ての手間を省くことができます。

DPAKパッケージでクラス最高のRDS(on)280mΩ

クラス最高のV (GS)th 3Vと最小のV (GS)th変動±0.5Vを実現

内蔵ツェナーダイオードによるクラス2（HBM）までの ESD 保護

クラス最高の品質と信頼性

最適化された品揃え

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