Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 180 A, 1.2 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
244-0945
メーカー型番:
IPD80R280P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流180A - IPD80R280P7ATMA1


このMOSFETは、表面実装用途での高電流スイッチング向けに設計されたパワーNチャンネルトランジスタです。過酷な環境に対応する幅広い温度範囲で動作し、定義された順方向電圧を備えた本質ダイオードを備えているため、自動車および産業用電力段階に適しています。

特長:


• 最大ドレイン・ソース電圧40Vにより、中電圧システムの使用が可能
• 連続ドレイン電流 180A により、大電流負荷に対応
• 1.2mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、持続的な高出力動作を実現
• 80nCのゲート充電により、高速スイッチング性能を実現
• ゲートドライブ設計を保護する最大ゲート定格Vgs 20V

用途


• 自動車用配電モジュールに最適
• 車両のDC-DCコンバータに最適
• 電気システムのモータードライブステージに使用
• 電源管理における負荷スイッチングに使用可能
• 基板上の高電流SMDアセンブリに最適

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~+150°Cで動作するように設計されており、過酷な環境でも幅広い温度範囲を実現します。

本質ダイオードの電気的動作はどのようになりますか?


本体ダイオードは0.9Vの順方向電圧を発揮し、逆方向伝導時の再循環電流と伝導損失に影響を与えます。

プリント基板設計には、どのような梱包および取り付けに関する考慮事項が適用されますか?


表面実装用のTO-252パッケージで提供され、基板上で適切なはんだパッド設計と熱管理が必要です。

認定に関する自動車グレードのプロジェクトに適していますか?


自動車用電子用途に適したAEC‐Q101規格に適合しています。

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