Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 180 A P, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD80R1K2P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-1596
メーカー型番:
IPD80R1K2P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

P

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

800V CoolMOS™ P7シリーズは、800Vスーパージャンクションテクノロジーの新しい業界標準として、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを組み合わせた製品です。これは、Infineonが18年以上にわたって先駆的なスーパージャンクションテクノロジーでの革新を続けてきた成果です。

クラス最高のFOM RDS(on) x Eoss

クラス最高のDPAK RDS(on)

クラス最高のV(GS)th 3V

完全に最適化されたポートフォリオ

ツェナーダイオードESD保護を内蔵

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