Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 381 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- RS品番:
- 244-1553
- メーカー型番:
- BSC0901NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 50000 - 70000 | ￥104.849 | ￥524,245 |
| 75000 - 95000 | ￥103.60 | ￥518,000 |
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- RS品番:
- 244-1553
- メーカー型番:
- BSC0901NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 381A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SuperSO8 5 x 6 | |
| シリーズ | BSC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 381A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6 | ||
シリーズ BSC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon BSCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流381A - BSC0901NSATMA1
このMOSFETは、コンパクトボード上の高電流電力変換および表面実装用途向けに設計されたNチャンネル半導体スイッチです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なドレイン対ソース性能と制御されたゲートドライブが必要な場合に適しています。
特長：
• 最大ドレイン-ソース間電圧40Vにより、中電圧電力段階を実現
• 381Aの連続ドレイン電流により、高電流供給をサポート
• 0.7mΩの低Rds(on)により、高負荷時の導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、大幅な熱処理が可能
• 80nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 20Vゲート定格により、制御のための広いゲートドライブマージンを実現
• 381Aの連続ドレイン電流により、高電流供給をサポート
• 0.7mΩの低Rds(on)により、高負荷時の導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、大幅な熱処理が可能
• 80nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 20Vゲート定格により、制御のための広いゲートドライブマージンを実現
用途
• DC-DCコンバータのプライマリスイッチング段に最適
• 高電流電力変換モジュールに最適
• コンパクトなMOSFETを必要とする表面実装アセンブリで使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 高電流バッテリ管理回路に最適
• 高電流電力変換モジュールに最適
• コンパクトなMOSFETを必要とする表面実装アセンブリで使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 高電流バッテリ管理回路に最適
どのような温度範囲で動作しますか？
-55°C～+150°Cで動作し、極端な熱環境に対応します。
コンパクトプリント基板への取り付けには、どのようなパッケージが使用されますか?
高密度レイアウト用のSuperSO8 5x6 mm表面実装パッケージで提供されます。
ゲート充電はスイッチング設計にどのように影響しますか?
80nCのゲート電荷は、ドライブエネルギーを定義し、スイッチング損失とドライバサイズに影響を与えます。
導通時の順方向電圧はどのくらいですか?
順方向電圧は1Vで指定され、定義された条件下での伝導降下を示します。
特定の認証や環境基準はありますか?
制限物質に関するRoHS要件に準拠
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