Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 381 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

5個小計, 5パック:*

¥1,866

(税抜)

¥2,053

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,000 は 2026年10月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145¥373.20¥1,866
150 - 1495¥335.80¥1,679
1500 - 1995¥297.80¥1,489
2000 - 3995¥259.80¥1,299
4000 +¥219.00¥1,095

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
244-1555
メーカー型番:
BSC0901NSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

381A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

シリーズ

BSC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon BSCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流381A - BSC0901NSATMA1


このMOSFETは、コンパクトボード上の高電流電力変換および表面実装用途向けに設計されたNチャンネル半導体スイッチです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なドレイン対ソース性能と制御されたゲートドライブが必要な場合に適しています。

特長:


• 最大ドレイン-ソース間電圧40Vにより、中電圧電力段階を実現
• 381Aの連続ドレイン電流により、高電流供給をサポート
• 0.7mΩの低Rds(on)により、高負荷時の導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、大幅な熱処理が可能
• 80nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 20Vゲート定格により、制御のための広いゲートドライブマージンを実現

用途


• DC-DCコンバータのプライマリスイッチング段に最適
• 高電流電力変換モジュールに最適
• コンパクトなMOSFETを必要とする表面実装アセンブリで使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 高電流バッテリ管理回路に最適

どのような温度範囲で動作しますか?


-55°C~+150°Cで動作し、極端な熱環境に対応します。

コンパクトプリント基板への取り付けには、どのようなパッケージが使用されますか?


高密度レイアウト用のSuperSO8 5x6 mm表面実装パッケージで提供されます。

ゲート充電はスイッチング設計にどのように影響しますか?


80nCのゲート電荷は、ドライブエネルギーを定義し、スイッチング損失とドライバサイズに影響を与えます。

導通時の順方向電圧はどのくらいですか?


順方向電圧は1Vで指定され、定義された条件下での伝導降下を示します。

特定の認証や環境基準はありますか?


制限物質に関するRoHS要件に準拠

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。