Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 244-2257
- メーカー型番:
- AUIRFR024NTRL
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 244-2257
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- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon AUIRFR024NTRLは、特に車載アプリケーション向けに設計されています。このHEXFET®パワーMOSFETのセルラープレーナー設計は、シリコン面積当たりの低オン抵抗を達成するために最新のプロセス技術を利用しています。
高度なプレーナーテクノロジー
低オン抵抗、動的dv/dt定格
動作温度：175 °C
高速スイッチング
完全アバランシェ定格
Tjmaxまでの繰り返しアバランシェを許容
鉛未使用、RoHS対応
車載用認定
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