Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 3 A, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223
- RS品番:
- 244-2266
- メーカー型番:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 244-2266
- メーカー型番:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | IPN | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ IPN | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
本600V CoolMOS™ PFD7 スーパージャンクションMOSFET (IPN60R2K0PFD7S)は、民生機器用のCoolMOS™ 7の補完製品です。本製品ファミリは、超高電力密度と最高の効率設計向けに調整されています。
非常に低いFOM RDS(on) x QgとRDS(on) x Eossによる極めて低い損失
低スイッチング損失Eoss、優れた熱行動
高速ボディダイオード
幅広いRDS(on) 値、幅広いパッケージラインアップ
ツェナーダイオード内蔵
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