型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 3.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-SOT223

RS品番:: 273-3016
メーカー型番:: IPN60R1K5PFD7SATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 3.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-SOT223

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RS品番:: 273-3016
メーカー型番:: IPN60R1K5PFD7SATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	3.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	IPN
	パッケージ型式	PG-SOT223
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.5Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1V
	最大許容損失Pd	6W
	動作温度 Min	-40°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	4.6nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	JEDEC Standard
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 3.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ IPN
	パッケージ型式 PG-SOT223
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1V
	最大許容損失Pd 6W
	動作温度 Min -40°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.6nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 JEDEC Standard
	自動車規格なし

Datasheet - IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon 600 VクールMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、消費者用途向けに提供するクールMOS 7を補完します。

BOMコスト削減と簡単な製造

頑丈性と信頼性

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