Infineon MOSFET, Nチャンネル, 950 V, 6.1 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-223

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梱包形態
RS品番:
244-2273
メーカー型番:
IPN95R3K7P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

950V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

IPN

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

順方向電圧 Vf

900mV

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

+150°C

長さ

2mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPNシリーズMOSFET、ドレインソース電圧950V、消費電力81W - IPN95R3K7P7ATMA1


このMOSFETは、堅牢なドレインソース性能と幅広い温度耐性が求められる表面実装用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い熱範囲で動作し、コンパクトなSOT-223パッケージで大きな電力処理とゲートドライブ耐性を必要とする回路に適しています。

特長:


• 950Vドレイン・ソース機能により、高電圧スイッチングを実現
• 3mΩの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 6.1Aの連続電流により、中程度の負荷電流をサポート
• 81Wの消費電力により、持続的な熱性能を実現
• 80nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 20Vゲート許容差により、一般的なゲートドライブ電圧を実現

用途


• 高電圧電力変換段階に最適
• 産業用モータードライブフロントエンドに最適
• スイッチモード電源のプライマリスイッチングに使用
• 認定が必要な自動車用電源システムに使用可能
• 熱管理基板のコンパクトな表面実装アセンブリと併用

動作中にどのような極端な熱に耐えられますか?


定格動作範囲は-55°C~+150°Cです。

基板レイアウト用のパッケージには何本のピンがありますか?


このデバイスは、SOT-223形式の3ピン構成を使用しています。

低電圧降下に関連する順方向伝導特性はどのようなものですか?


伝導時の標準順方向電圧は0.9 Vです。

このデバイスは自動車認定規格に適していますか?


自動車グレード用途向けのAEC-Q101要件に適合しています。

廃棄および使用に関して、どのような環境コンプライアンスが指示されていますか?


RoHSに準拠しています。

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