Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 950 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223

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RS品番:
219-6004
メーカー型番:
IPN95R1K2P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

950V

シリーズ

CoolMOS P7

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

120mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

7W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

6.7mm

規格 / 承認

No

高さ

1.8mm

幅

3.7 mm

自動車規格

なし

Infineon は、高電圧MOSFET分野で高まる消費者ニーズに対応するために設計された、最新の950V CoolMOS™ P7テクノロジーは、低電力SMPS市場に焦点を当てています。950V CoolMOS™P7シリーズは、従来の900V CoolMOS™ C3よりも50V高いブロッキング電圧を提供し、効率、熱挙動、使いやすさの点で優れた性能を発揮します。他のすべての P7 ファミリ製品と同様に、 950V CoolMOS ™ P7 シリーズは、ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています。 内蔵ダイオードにより、ESD耐量が大幅に向上し、ESDによる歩留まり低下を抑え、使い勝手の良い製品になっています。CoolMOS™ P7は、クラス最高のVGS(th)3Vと、±0.5Vの狭い許容差で開発されているため、駆動と設計が容易に行えます。

クラス最高の VGS(th) 3V、最 小 の VGS(th)変動 ± 0.5V内蔵

ツェナーダイオードによるクラス 2（HBM）までの ESD 保護

クラス最高の品質と信頼性

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