Infineon MOSFET, Nチャンネル, 950 V, 6 A, 120 mΩ, 15 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 219-6004
- メーカー型番:
- IPN95R1K2P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 45000 - 57000 | ￥93.979 | ￥281,937 |
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- RS品番:
- 219-6004
- メーカー型番:
- IPN95R1K2P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 950V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 120mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 7W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 3.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 950V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ CoolMOS P7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 120mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 7W | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 3.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.8mm | ||
長さ 6.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon は、高電圧MOSFET分野で高まる消費者ニーズに対応するために設計された、最新の950V CoolMOS™ P7テクノロジーは、低電力SMPS市場に焦点を当てています。950V CoolMOS™P7シリーズは、従来の900V CoolMOS™ C3よりも50V高いブロッキング電圧を提供し、効率、熱挙動、使いやすさの点で優れた性能を発揮します。他のすべての P7 ファミリ製品と同様に、 950V CoolMOS ™ P7 シリーズは、ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています。 内蔵ダイオードにより、ESD耐量が大幅に向上し、ESDによる歩留まり低下を抑え、使い勝手の良い製品になっています。CoolMOS™ P7は、クラス最高のVGS(th)3Vと、±0.5Vの狭い許容差で開発されているため、駆動と設計が容易に行えます。
クラス最高の VGS(th) 3V、最 小 の VGS(th)変動 ± 0.5V内蔵
ツェナーダイオードによるクラス 2（HBM）までの ESD 保護
クラス最高の品質と信頼性
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