Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, IPN95R2K0P7ATMA1
- RS品番:
- 215-2534
- メーカー型番:
- IPN95R2K0P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2534
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- IPN95R2K0P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | CoolMOS | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 7W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ CoolMOS | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 7W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 950V Cool MOS ™ P7 シリーズは、高電圧 MOSFET 分野での消費者の増大するニーズに対応するように設計されており、最新の 950V Cool MOS ™ P7 テクノロジーは、低電力 SMPS 市場に焦点を当てています。950V Cool MOS ™ P7 シリーズは、旧モデルの 900V Cool MOS ™ C3 よりも 50V 高いブロッキング電圧を提供し、効率性、温度特性、使いやすさという点で卓越した性能を発揮します。その他すべての P7 ファミリの製品と同様に、 950V Cool MOS ™ P7 シリーズには、ツェナーダイオード ESD 保護機能が内蔵されています。この内蔵ダイオードは、 ESD の堅牢性を大幅に向上させ、 ESD 関連の降伏損失を低減し、非常に使いやすいレベルに達します。クール MOS ™ P7 は、 3 V のクラス最高の VGS ( the )とわずか ± 0.5 V の狭い許容差で開発されているため、駆動と設計が容易です。
クラス最高の FOMRDS(on)*eOSS; Qg 、 CISS 、および COSS の削減
クラス最高の SOT-223 RDS ( on )
クラス最高の Cool MOS ™の品質と信頼性
完全に最適化されたポートフォリオ
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