Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 60 V, 0.18 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23
- RS品番:
- 244-2278
- メーカー型番:
- ISS55EP06LMXTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 244-2278
- メーカー型番:
- ISS55EP06LMXTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 0.18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | ISS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 0.18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ ISS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon PチャンネルパワーMOSFETの製品群は、設計の柔軟性と扱いやすさで、最高の性能要件を満たすことができます。バッテリー保護、逆極性保護、リニアバッテリー充電器、ロードスイッチ、DC-DCコンバータ、低電圧駆動アプリケーションに最適な-12V製品が含まれます。
Pチャンネル
低オン抵抗RDS(on)
100% アバランシェテストを実施
ロジックレベルまたはノーマルレベル
エンハンスメントモード
鉛未使用ーリードめっき; RoHS準拠
IEC61249-2-21に準拠したハロゲン未使用
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