Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 0.18 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥20,790.00

(税抜)

￥22,860.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 6,000 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥6.93￥20,790
15000 - 27000￥6.729￥20,187
30000 - 72000￥6.367￥19,101
75000 - 147000￥6.181￥18,543
150000 +￥6.005￥18,015

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
244-2277
メーカー型番:
ISS55EP06LMXTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

0.18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

ISS

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

Distrelec Product Id

304-40-557

自動車規格

AEC-Q101

Infineon PチャンネルパワーMOSFETの製品群は、設計の柔軟性と扱いやすさで、最高の性能要件を満たすことができます。バッテリー保護、逆極性保護、リニアバッテリー充電器、ロードスイッチ、DC-DCコンバータ、低電圧駆動アプリケーションに最適な-12V製品が含まれます。

Pチャンネル

低オン抵抗RDS(on)

100% アバランシェテストを実施

ロジックレベルまたはノーマルレベル

エンハンスメントモード

鉛未使用ーリードめっき; RoHS準拠

IEC61249-2-21に準拠したハロゲン未使用

関連ページ