Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 52 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, IMW120R030M1HXKSA1

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梱包形態
RS品番:
244-2921
メーカー型番:
IMW120R030M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

IMW

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IMW120R030M1HXKSA1 MOSFETは、IGBTやMOSFETのような従来のシリコンベースのスイッチに比べて、SiC MOSFETはさまざまな特長があります。こうした特長には、1200Vスイッチに見られる低いゲート電荷およびデバイス容量、内部整流保護ボディダイオードの逆回復損失がない、温度非依存のスイッチング損失、閾値非依存のオン抵抗特性などがあります。

非常に低いスイッチング損失

無閾値オン状態特性

広いゲートソース電圧範囲

ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th)= 4.5V

00Vのターンオフゲート電圧で簡単なゲート駆動が可能

完全に制御可能なdV/dt

同期整流に対応したボディダイオード

温度に依存しないターンオフスイッチング損失

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