Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 52 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, IMW120R020M1HXKSA1

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梱包形態
RS品番:
248-6669
メーカー型番:
IMW120R020M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

IMW

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon CoolSiC 1200 V、20 mΩ SiC MOSFET(TO247-3パッケージ)は、性能と信頼性を両立させるために最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFET は1200Vクラスの中で最も低いゲート電荷及びデバイス容量、ボディダイオードの逆回復損失無し、温度依存のない低スイッチング損失、閾値依存の無いオン特性など、一連の利点があります。CoolSiC™ MOSFET は、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバーターやDC-ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的です。

VDSS - 1200 V @ T - 25 °C

IDCC - 98 A @ T - 25 °C

RDS(オン) - 19mΩ @ VGS - 18 V、T - 25 °C

非常に低いスイッチング損失

短絡耐久時間: 3 マイクロ秒

ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th) - 4.2 V

寄生ターンオンに強く、ターンオフゲート電圧0 V印加可能

ハードコミュニティ用の頑丈なボディダイオード、

クラス最高の熱性能を実現するXT相互接続技術

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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