Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 52 A P, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, IMW120R090M1HXKSA1

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梱包形態
RS品番:
244-2924
メーカー型番:
IMW120R090M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

IMW

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

P

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

TO247-3パッケージのInfineon IMW120R090M1HXKSA1 MOSFETは、高い性能と信頼性を実現する最先端トレンチ型半導体プロセスを使って製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコンベースのスイッチに比べて、SiC MOSFETはさまざまな特長があります。こうした特長には、1200Vスイッチに見られる低いゲート電荷およびデバイス容量、内部整流保護ボディダイオードの逆回復損失がない、温度非依存のスイッチング損失、閾値非依存のオン抵抗特性などがあります。

非常に低いスイッチング損失

無閾値オン状態特性

広いゲートソース電圧範囲

ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th)= 4.5V

0Vのターンオフゲート電圧で簡単なゲート駆動が可能

完全に制御可能なdV/dt

同期整流に対応したボディダイオード

温度に依存しないターンオフスイッチング損失

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