DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI5060-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥208,502.50

(税抜)

￥229,352.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,500 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥83.401￥208,503
5000 - 22500￥82.175￥205,438
25000 - 35000￥80.948￥202,370
37500 - 47500￥79.722￥199,305
50000 +￥78.495￥196,238

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
246-6876
メーカー型番:
DMT32M5LPSW-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerDI5060-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.003Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

1.73W

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

1mm

規格 / 承認

No

幅

5.15 mm

長さ

6.4mm

自動車規格

AEC-Q101

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計された新世代のNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETは、powerDI5060-8のパッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。100％非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。1.1 mm未満のパッケージサイズで、薄型の用途に最適です。

最大ドレインソース間電圧: 30 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V 熱効率の高いパッケージで、低温動作用途に最適 低入力静電容量

関連ページ