DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMT6011LPDW-13 パッケージPowerDI5060-8

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梱包形態
RS品番:
246-7555
メーカー型番:
DMT6011LPDW-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerDI5060-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.022Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2.5W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.2nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETは、powerDI5060-8のパッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。100％非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。動作温度範囲は-55 ℃→ +150 °Cです。

最大ドレインソース間電圧: 20 V 最大ゲートソース間電圧: ±12 V 低オン抵抗 低ゲートしきい値電圧 ESD保護ゲート

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