DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMT6011LPDW-13 パッケージPowerDI5060-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥3,763.00

(税抜)

￥4,139.25

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 2,475 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 25￥150.52￥3,763
50 - 75￥147.28￥3,682
100 - 225￥105.36￥2,634
250 +￥103.20￥2,580

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
246-7555
メーカー型番:
DMT6011LPDW-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerDI5060-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.022Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.2nC

最大許容損失Pd

2.5W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETは、powerDI5060-8のパッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。100％非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。動作温度範囲は-55 ℃→ +150 °Cです。

最大ドレインソース間電圧: 20 V 最大ゲートソース間電圧: ±12 V 低オン抵抗 低ゲートしきい値電圧 ESD保護ゲート

関連ページ