DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 59 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
246-6896
メーカー型番:
DMTH10H015SK3-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

59A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.014Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

1.73W

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.29mm

長さ

6.58mm

幅

6.1 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはTO252パッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。定格温度は+175℃で、高い周囲温度の環境に最適です。100％非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。

最大ドレインソース間電圧: 100 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V 低RDS(ON)により、電力損失を最小限に抑える 低Qgにより、スイッチング損失を最小限に抑える

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