- RS品番:
- 248-5817
- メーカー型番:
- NTHL025N065SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
390 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
追加されました
単価: 購入単位は30個
¥2,871.80
(税抜)
¥3,158.98
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
30 - 120 | ¥2,871.80 | ¥86,154.00 |
150 - 270 | ¥2,814.367 | ¥84,431.01 |
300 - 720 | ¥2,758.067 | ¥82,742.01 |
750 - 1470 | ¥2,702.90 | ¥81,087.00 |
1500 + | ¥2,648.833 | ¥79,464.99 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 248-5817
- メーカー型番:
- NTHL025N065SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、19モーム、650 V、M2、TO-247-3L
ON Semiconductorシリコンカーバイド(SiC) MOSFETは、650 Vのドレイン-ソース電圧、348 Wの消費電力を備えたNチャンネルMOSFETで、TO247-3Lパッケージに収められています。このデバイスはハライドフリーで、RoHSの例外7a、鉛フリー2LIに準拠しています。
超低ゲート充電164 nC
低静電容量278 pF
100 %アバランシェテスト
温度175 °C
RDS(オン)19モーム
低静電容量278 pF
100 %アバランシェテスト
温度175 °C
RDS(オン)19モーム
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 99 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO-247 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
関連ページ
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 38 A スルーホール パッケージTO247-4L
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 99 A スルーホール パッケージTO247-4L
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 163 A スルーホール パッケージTO247-3L
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 66 A スルーホール パッケージTO-247
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 142 A スルーホール パッケージTO-247-4 4 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 46 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 47 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 55 A スルーホール パッケージTO-247-4 4 ピン