Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 52 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
248-6663
メーカー型番:
IMW120R007M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

IMW

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon CoolSiC 1200 V、7 mΩ SiC MOSFET(TO247-3パッケージ)は、性能と信頼性を両立させるために最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。SiC MOSFET は1200Vクラスの中で最も低いゲート電荷及びデバイス容量、ボディダイオードの逆回復損失無し、温度依存のない低スイッチング損失、閾値依存の無いオン特性などの利点があります。CoolSiC MOSFET は、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバーターやDC-ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的です。

VDSS - 1200 V @ T - 25 °C

IDCC - 225 A @ T - 25 °C

RDS(オン) - 7mΩ @ VGS - 18 V、T - 25 °C

非常に低いスイッチング損失

ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th) - 4.2 V

寄生ターンオンに強く、ターンオフゲート電圧0 V印加可能

ハードコミュニティ用の頑丈なボディダイオード

クラス最高の熱性能を実現するXT相互接続技術

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