Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 225 A N, 表面, 4-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 248-6675
- メーカー型番:
- IMZA120R014M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 本(1本240個入り) 小計：*
￥719,944.08
(税抜)
￥791,938.56
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年5月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | ￥2,999.767 | ￥719,944 |
| 480 - 2160 | ￥2,955.65 | ￥709,356 |
| 2400 - 3360 | ￥2,911.538 | ￥698,769 |
| 3600 - 4560 | ￥2,867.425 | ￥688,182 |
| 4800 + | ￥2,823.313 | ￥677,595 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 248-6675
- メーカー型番:
- IMZA120R014M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 225A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | IMZA | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 225A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ IMZA | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolSiC 1200 V、14 mΩ SiC MOSFET(TO247-4パッケージ)は、性能と信頼性を両立させるために最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFET は1200Vクラスの中で最も低いゲート電荷及びデバイス容量、ボディダイオードの逆回復損失無し、温度依存のない低スイッチング損失、閾値依存の無いオン特性など、一連の利点があります。CoolSiC™ MOSFET は、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバーターやDC-ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的です。
VDSS - 1200 V @ T - 25 °C
IDCC - 127 A @ T - 25 °C
RDS(オン) - 14mΩ @ VGS - 18 V、T - 25 °C
非常に低いスイッチング損失
短絡耐久時間3マイクロ秒
ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th) - 4.2 V
寄生ターンオンに強く、ターンオフゲート電圧0 V印加可能
ハード整流用の堅牢なボディダイオード
クラス最高の熱性能を実現するXT相互接続技術
関連ページ
- インフィニオン MOSFET 127 A 4 ピン, IMZA120R014M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 127 A 3 ピン, IMW120R014M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 55 A 4 ピン, IMZA120R040M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 98 A 4 ピン, IMZA120R020M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 225 A 4 ピン, IMZA120R007M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 127 A 3 ピン, IMW120R020M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 53 A 4 ピン, IMZA65R033M2HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 64 A 4 ピン, IMZA65R026M2HXKSA1