Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V N, 表面 パッケージTO-247
- RS品番:
- 258-3763
- メーカー型番:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥904.267 | ￥27,128 |
| 150 - 270 | ￥886.10 | ￥26,583 |
| 300 - 720 | ￥839.30 | ￥25,179 |
| 750 - 1470 | ￥815.367 | ￥24,461 |
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- RS品番:
- 258-3763
- メーカー型番:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.8mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 順方向電圧 Vf | 5.2V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.8mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
順方向電圧 Vf 5.2V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolSiC 1200 V、60 mΩ SiC MOSFET (TO247-4パッケージ)は、最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築されており、性能と信頼性を兼ね備えています。IGBTやMOSFETなどの従来のシリコンベーススイッチと比較すると、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。これらには、1200 Vスイッチで見られる最低のゲート充電とデバイス静電容量レベル、内部コンチュータ保護ボディダイオードの逆回復損失なし、温度に依存しない低スイッチング損失、しきい値のないオンステート特性などがあります。CoolSiC MOSFETは、パワーファクタ補正回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハード及び共振スイッチングトポロジに最適です。
幅広いゲート-ソース電圧範囲
頑丈で低損失のボディダイオード、ハードコンチュータ定格
温度に依存しないターンオフスイッチング損失
最高効率
冷却力の削減
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