Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V N, 表面 パッケージTO-247

Infineon CoolSiC 1200 V、60 mΩ SiC MOSFET (TO247-4パッケージ)は、最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築されており、性能と信頼性を兼ね備えています。IGBTやMOSFETなどの従来のシリコンベーススイッチと比較すると、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。これらには、1200 Vスイッチで見られる最低のゲート充電とデバイス静電容量レベル、内部コンチュータ保護ボディダイオードの逆回復損失なし、温度に依存しない低スイッチング損失、しきい値のないオンステート特性などがあります。CoolSiC MOSFETは、パワーファクタ補正回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハード及び共振スイッチングトポロジに最適です。

幅広いゲート-ソース電圧範囲