Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 40 A, 5 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ:PQFN

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RS品番:
249-6899
メーカー型番:
IAUZ40N06S5N050ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

IAUZ

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IAUZシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧60V、最大連続ドレイン電流40A - IAUZ40N06S5N050ATMA1


このMOSFETは、表面実装用途での高電流スイッチング向けに設計されたNチャンネル強化デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、コンパクトな電力処理と堅牢な耐熱性が求められる用途に適しています。このデバイスは環境制限に適合し、自動配置に最適化された熱効率の高いPQFNパッケージで提供されます。

特長および利点:


• 5mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• 60V Vds により中電圧電力段階をサポート
• 40Aの連続電流により、高負荷スイッチングに対応
• 最大許容電力 81W により、継続的な熱負荷に対応
• 80 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なドライブ要件を容易に実現

用途


• 自動車用配電モジュールに最適
• DC-DCコンバータの出力段に最適
• コンパクトシステムでモーター駆動ハーフブリッジと併用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 幅広い温度範囲での産業用スイッチングに使用

このデバイスにはどのようなゲートドライブが必要ですか?


選択されたVgsレベルで約80 nCを供給できるゲートドライブにより、信頼性の高いスイッチングタイミングと予測可能な移行損失を実現します。

熱環境は連続電流性能にどのように影響しますか?


81Wの消散定格には、ジャンクション温度制限を超えずに高い連続電流を維持するために、適切な基板熱管理と熱バイアスが必要です。

ゲートにはどのような電圧および極性の制限がありますか?


ゲート酸化物の損傷を防ぐため、ゲートはソースに対して±20V以上駆動しないでください。

産業環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?


-55°C~175°Cで動作するように設計されており、過酷な環境や高温環境でも使用できます。

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