Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 100 A 1200 V, ねじ止め端子 エンハンスメント型, 8-Pin パッケージAG-EASY2B

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 トレイ(1トレイ18個入り) 小計：*

￥299,775.006

(税抜)

￥329,752.512

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年12月28日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
18 - 18￥16,654.167￥299,775
36 - 162￥16,512.056￥297,217
180 - 252￥16,202.444￥291,644
270 - 342￥15,892.056￥286,057
360 +￥15,582.556￥280,486

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
250-0217
メーカー型番:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

IAUZ

パッケージ型式

AG-EASY2B

取付タイプ

ねじ止め端子

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACKTM 2B 1200 V / 8 mΩ 3レベルモジュールは、拡張第1世代のCoolSiCTM MOSFET、内蔵NTC温度センサ、使用済みのサーマルインターフェイス素材、及びPressFITコンタクトテクノロジーを備えています。

高電流密度、

低スイッチング損失、

内蔵取り付けクランプによる頑丈な取り付け、

内蔵NTC温度センサ、

PressFITコンタクト技術、

使用済みのサーマルインターフェイス素材

関連ページ