Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 400 A 1200 V, 表面 エンハンスメント型, 8-Pin パッケージAG-EASY3B

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 トレイ(1トレイ8個入り) 小計：*

￥647,808.00

(税抜)

￥712,588.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 16 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
8 - 8￥80,976.00￥647,808
16 - 72￥80,158.00￥641,264
80 - 112￥78,554.75￥628,438
120 - 152￥76,983.50￥615,868
160 +￥75,444.75￥603,558

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
250-0222
メーカー型番:
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

400A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

AG-EASY3B

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.44mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

-10 V

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC 60747, 60749 and 60068

自動車規格

AEC-Q101

InfineonハーフブリッジCoolSiC MOSFET EasyDUALTM 3B 1200 V / 1.44 mΩハーフブリッジモジュールは、第1世代の強化CoolSiCTM MOSFET、内蔵NTC温度センサ、及びPressFITコンタクトテクノロジーを備えています。

低スイッチング損失、

高電流密度、

低誘導性設計、

PressFITコンタクト技術、

内蔵NTC温度センサ、

内蔵取り付けクランプによる頑丈な取り付け

関連ページ