Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 15 A 1200 V, 表面 エンハンスメント型, 8-Pin, FS55MR12W1M1HB11NPSA1 パッケージAG-EASY1B

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥9,360.00

(税抜)

￥10,296.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 20 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 5￥9,360
6 - 10￥9,170
11 - 14￥8,570
15 - 18￥8,241
19 +￥7,964

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
250-0229
メーカー型番:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

15A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

FS55MR12W1M1H_B11

パッケージ型式

AG-EASY1B

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

114mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

-10 V

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC 60747, 60749 and 60068

自動車規格

AEC-Q101

Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACKTM 1B 1200 V / 55 mΩ 6パックモジュールは、第1世代、NTC、PressFITコンタクトテクノロジーを強化したCoolSiCTM MOSFETを搭載しています。

低誘導性設計、

低スイッチング損失、

内蔵取り付けクランプによる頑丈な取り付け、

PressFITコンタクト技術、

内蔵NTC温度センサ

関連ページ