Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -20 V, 390 mA, 1.20 Ω, 80 nC, 6ピン, パッケージ:SOT-363

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RS品番:
250-0521
メーカー型番:
BSD223PH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

390mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-20V

パッケージ型式

SOT-363

シリーズ

BSD

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.20Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

0.25W

最大ゲートソース電圧Vgs

12V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon BSDシリーズMOSFET - ドレイン‐ソース電圧20V、消費電力0.25W - BSD223PH6327XTSA1


このpチャンネルMOSFETは、幅広い温度範囲で低電力スイッチングを実現するために設計された表面実装型トランジスタです。コンパクトアセンブリの電流制御用のエンハンスメントモードデバイスとして機能し、幅広い耐熱性と自動車グレード認定を必要とする環境に適しています。

特長および利点:


• 1.20Ω のドレイン‐ソース抵抗により、予測可能な伝導動作を実現
• 0.39Aの連続ドレイン電流により、低電流スイッチング負荷をサポート
• 12Vゲートソース定格により、標準的なゲートドライブ電圧を実現
• -20V ドレイン・ソース制限により、負電圧回路での動作が可能
• 0.25Wの消費電力により、小型アセンブリでの熱負荷を最小限に抑制

用途


• バッテリ管理および低電流電源配線作業に最適
• コンパクトな表面実装電子機器の信号スイッチングに最適
• 耐熱性を必要とする自動車用センサーインターフェースに使用
• 混合電圧制御回路のレベルシフトに使用可能

どのような極端な温度に対応できますか?


-55°C~+150°Cの周囲温度範囲で動作します。

どのようなパッケージと取り付けスタイルを使用しますか?


表面実装フットプリントと6ピンを備えたSOT‐363パッケージで提供されます。

業界の環境基準に準拠していますか?


RoHS要件に適合し、車載用途向けのAEC‐Q101に適合しています。

どのようなチャンネルタイプとモードを採用していますか?


エンハンスメントモードで動作するPチャンネルデバイスです。

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