Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 120 mA, 45000 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-223

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RS品番:
250-0527
メーカー型番:
BSP125H6433XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

120mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

BSP

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45000mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon BSPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大消費電力81W - BSP125H6433XTMA1


このMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリの高電圧スイッチングおよび消費電力作業向けの表面実装エンハンスメントモードNチャンネルデバイスです。過酷な条件に適した幅広い温度範囲で動作し、3ピンSOT-223パッケージを内蔵しているため、プリント基板を簡単に配置できます。このコンポーネントはRoHSに準拠し、規制された車両環境での使用に関する自動車認定規格に適合しています。

特長および利点:


• ドレイン-ソース間定格電圧 600V により、高電圧スイッチングに対応
• 81Wの消費電力により、持続的な熱負荷をサポート
• 0.12Aの連続ドレイン電流により、低電流制御経路に最適
• 45,000mΩのオン抵抗により、導通損失を最小限に抑制
• 20Vで80nCのゲート充電により、ゲートドライブ設計を簡素化

用途


• 産業用電源スイッチングステージに最適
• 認定を必要とする自動車制御回路に最適
• SOT-223取り付けが必要なコンパクトコンバータで使用
• 高温電子モジュールに使用可能
• 表面実装プロトタイプおよび生産基板に最適

ゲート電圧について、どのような制限を守る必要がありますか?


ゲートソース電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲート区域の損傷を防止します。

使用時の許容温度範囲はどのくらいですか?


このデバイスは、-55°C~+150°Cまでの連続使用に対応し、幅広い環境条件に対応します。

プリント基板設計者は、どのくらいのピン数と、どのようなパッケージタイプを許容する必要がありますか?


表面実装組立や一般的なはんだ付けプロセスに適した3ピンSOT-223パッケージを採用しています。

このコンポーネントにはどのような規格や認証が適用されますか?


RoHS指令に準拠し、AEC-Q101自動車規格に適合しています。

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