Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル, 50 V, 0.41 A, 0.9 mΩ, 112 nC, 4ピン, パッケージ：LFPAK88

RS品番:: 251-7922
メーカー型番:: PSMNR90-50SLHAX
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル, 50 V, 0.41 A, 0.9 mΩ, 112 nC, 4ピン, パッケージ：LFPAK88

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RS品番:: 251-7922
メーカー型番:: PSMNR90-50SLHAX
メーカー/ブランド名:: Nexperia

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	0.41A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	50V
	パッケージ型式	LFPAK88
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.9mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	375W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	112nC
	動作温度 Max	175°C
	長さ	8.1mm
	幅	1.7mm
	規格 / 承認	No
	高さ	8.1mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 0.41A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 50V
	パッケージ型式 LFPAK88
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.9mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 375W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 112nC
	動作温度 Max 175°C
	長さ 8.1mm
	幅 1.7mm
	規格 / 承認 No
	高さ 8.1mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - PSMNR90-50SLHAX

Nexperia 410 A連続電流ロジックレベルゲートドライブNチャンネル強化モードMOSFETは、175 °C LFPAK88パッケージに収められています。Nexperia独自の「ショットキープラス」テクノロジーを採用したNext Power S3ファミリは、ショットキーダイオード又はショットキー型ダイオードを内蔵したMOSFETに通常適合する高効率で低スパイキング性能を発揮しますが、問題のある高漏洩電流はありません。

低パッケージインダクタンスと抵抗のための銅クリップとはんだダイアップアタッチ、

高ID(最大)定格、175 °

CCAバランシェ定格、100 %テスト済

み、特に高いスイッチング周波数での高効率を

実現、特に高いスイッチング周波数でのソフトボディダイオードの回復による超高速スイッチング、低スピ

ッキング及びリングのための低EMI設計

に推奨、簡単な並列化と電流共有の向上のための狭いVGS(th)定格、非常に強力なリニアモード / 安全な動作エリア特性、高電流条件での安全かつ信頼性の高いスイッチング

Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル, 50 V, 0.41 A, 0.9 mΩ, 112 nC, 4ピン, パッケージ：LFPAK88

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