Vishay MOSFET, タイプPチャンネル -30 V, 13.6 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4155DY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
252-0246
メーカー型番:
SI4155DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

13.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.03mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

58nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

5.6W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。PチャンネルMOSFET基板には、電子と正孔が含まれています。PチャンネルMOSFETは正電圧に接続されます。これらのMOSFETは、ゲート端子に供給される電圧がソース電圧よりも低いときにオンになります。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

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