Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, -30 V, 20.5 A, 0.01 mΩ, 58 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8
- RS品番:
- 252-0244
- メーカー型番:
- SI4151DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 252-0244
- メーカー型番:
- SI4151DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -30V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.01mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最大許容損失Pd | 5.6W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 20.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -30V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.01mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 58nC | ||
最大許容損失Pd 5.6W | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。PチャンネルMOSFET基板には、電子と正孔が含まれています。PチャンネルMOSFETは正電圧に接続されます。これらのMOSFETは、ゲート端子に供給される電圧がソース電圧よりも低いときにオンになります。
TrenchFETパワーMOSFET、
100 % Rg及びUISテスト済み
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