2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 125 A, 表面 30 V, 12-Pin, SIZF5300DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3FS
- RS品番:
- 252-0293
- メーカー型番:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥448.00 | ￥2,240 |
| 150 - 1420 | ￥405.60 | ￥2,028 |
| 1425 - 1895 | ￥361.40 | ￥1,807 |
| 1900 - 2395 | ￥318.40 | ￥1,592 |
| 2400 + | ￥275.80 | ￥1,379 |
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- RS品番:
- 252-0293
- メーカー型番:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 125A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| シリーズ | SiZF5300DT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 12 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.00351Ω | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 56.8W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 高さ | 3.3mm | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 125A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PowerPAIR 3 x 3FS | ||
シリーズ SiZF5300DT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 12 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00351Ω | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 56.8W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
高さ 3.3mm | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。
TrenchFET Gen VパワーMOSFET
対称デュアルNチャンネル
フリップチップ技術、最適な熱設計、
ハイサイド及びローサイドMOSFETの形状を最適化、
50 %デューティサイクル用の組み合わせ、
最適化されたRDS - Qg及びRDS - Qgd FOMにより、
高周波スイッチの効率を向上
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