2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 125 A, 表面 30 V, 12-Pin, SIZF5300DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3FS

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梱包形態
RS品番:
252-0293
メーカー型番:
SIZF5300DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

125A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAIR 3 x 3FS

シリーズ

SiZF5300DT

取付タイプ

表面

ピン数

12

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00351Ω

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

56.8W

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

高さ

3.3mm

幅

3.3 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。

TrenchFET Gen VパワーMOSFET

対称デュアルNチャンネル

フリップチップ技術、最適な熱設計、

ハイサイド及びローサイドMOSFETの形状を最適化、

50 %デューティサイクル用の組み合わせ、

最適化されたRDS - Qg及びRDS - Qgd FOMにより、

高周波スイッチの効率を向上

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