2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 257 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZF906BDT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 6 x 5F

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥2,091.00

(税抜)

￥2,300.10

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,315 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥418.20￥2,091
150 - 1420￥390.40￥1,952
1425 - 1895￥363.60￥1,818
1900 - 2395￥335.80￥1,679
2400 +￥308.40￥1,542

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
228-2941
メーカー型番:
SiZF906BDT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

257A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

PowerPAIR 6 x 5F

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0021Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

83W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

規格 / 承認

RoHS

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

Vishay デュアル N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ