2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 257 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZF906BDT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 6 x 5F

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梱包形態
RS品番:
228-2941
メーカー型番:
SiZF906BDT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

257A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

PowerPAIR 6 x 5F

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0021Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

83W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

Vishay デュアル N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

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