2 Vishay MOSFET 対称デュアルNチャンネル, タイプNチャンネル, 159 A, 表面 40 V, 8-Pin, SIZF640DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 6 x 5FS

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梱包形態
RS品番:
252-0298
メーカー型番:
SIZF640DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

159A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

PowerPAIR 6 x 5FS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00137Ω

最大許容損失Pd

62.5W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

トランジスタ構成

対称デュアルNチャンネル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。

TrenchFET Gen IVパワーMOSFET、

100 % Rg及びUISテスト済み、

対称デュアルNチャンネル

フリップチップ技術、最適な熱設計、

ハイサイド及びローサイドMOSFETの形状、最適化、

50 %デューティサイクル用の組み合わせ

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