型番

2 Vishay MOSFET 対称デュアルNチャンネル, タイプNチャンネル, 159 A, 表面 40 V, 8-Pin, SIZF640DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 6 x 5FS

RS品番:: 252-0298
メーカー型番:: SIZF640DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET 対称デュアルNチャンネル, タイプNチャンネル, 159 A, 表面 40 V, 8-Pin, SIZF640DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 6 x 5FS

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5 - 145	￥617.60	￥3,088
150 - 1420	￥568.40	￥2,842
1425 - 1895	￥521.00	￥2,605
1900 - 2395	￥472.00	￥2,360
2400 +	￥422.80	￥2,114

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RS品番:: 252-0298
メーカー型番:: SIZF640DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	159A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	PowerPAIR 6 x 5FS
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.00137Ω
	最大許容損失Pd	62.5W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	30nC
	動作温度 Min	-55°C
	トランジスタ構成	対称デュアルNチャンネル
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 159A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 PowerPAIR 6 x 5FS
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00137Ω
	最大許容損失Pd 62.5W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 30nC
	動作温度 Min -55°C
	トランジスタ構成対称デュアルNチャンネル
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。

TrenchFET Gen IVパワーMOSFET、

100 % Rg及びUISテスト済み、

対称デュアルNチャンネル

フリップチップ技術、最適な熱設計、

ハイサイド及びローサイドMOSFETの形状、最適化、

50 %デューティサイクル用の組み合わせ

2 Vishay MOSFET 対称デュアルNチャンネル, タイプNチャンネル, 159 A, 表面 40 V, 8-Pin, SIZF640DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 6 x 5FS

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