Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 329 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）, SQJQ186ER-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
252-0314
メーカー型番:
SQJQ186ER-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

329A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SQJQ186ER

パッケージ型式

PowerPAK （8x8LR）

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0014mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

214W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43nC

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

幅

4.9 mm

規格 / 承認

AEC-Q101

長さ

6.15mm

高さ

1.6mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay自動車用MOSFETは、専用のプロセスフローで製造されており、堅牢性が維持されています。最大ジャンクション温度定格175 °CのVishay Siliconix AEC-Q101認定SQシリーズは、低オン抵抗nチャンネル及びpチャンネルトレンチFET技術を備え、鉛(Pb)及びハロゲンフリーSOパッケージに収められています。

TrenchFET Gen IVパワーMOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み、

薄型、高さ1.9 mm

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