Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 245 A, 0.0014 mΩ, 43 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK （8x8L）
- RS品番:
- 252-0316
- メーカー型番:
- SQJQ186E-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 252-0316
- メーカー型番:
- SQJQ186E-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 245A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | TrenchFET Gen IV | |
| パッケージ型式 | PowerPAK （8x8L） | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0014mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 214W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 43nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| 高さ | 1.9mm | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 幅 | 4.9mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 245A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ TrenchFET Gen IV | ||
パッケージ型式 PowerPAK （8x8L） | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0014mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 214W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 43nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
高さ 1.9mm | ||
長さ 6.15mm | ||
幅 4.9mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay自動車用MOSFETは、専用のプロセスフローで製造されており、堅牢性が維持されています。最大ジャンクション温度定格175 °CのVishay Siliconix AEC-Q101認定SQシリーズは、低オン抵抗nチャンネル及びpチャンネルトレンチFET技術を備え、鉛(Pb)及びハロゲンフリーSOパッケージに収められています。
TrenchFET Gen IVパワーMOSFET
AEC-Q101認定
100 % Rg及びUISテスト済み、
薄型、高さ1.9 mm
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