Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 245 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJQ186E-T1_GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,157.00

(税抜)

￥1,272.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
納期未定
  • 1,844 は 2025年12月29日 に入荷予定
在庫限り。入荷未定。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 58￥578.50￥1,157
60 - 598￥527.00￥1,054
600 - 798￥474.50￥949
800 - 1598￥422.50￥845
1600 +￥370.00￥740

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
252-0316
メーカー型番:
SQJQ186E-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

245A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET Gen IV

パッケージ型式

PowerPAK （8x8L）

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0014mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43nC

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

214W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

6.15mm

規格 / 承認

AEC-Q101

高さ

1.9mm

幅

4.9 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay自動車用MOSFETは、専用のプロセスフローで製造されており、堅牢性が維持されています。最大ジャンクション温度定格175 °CのVishay Siliconix AEC-Q101認定SQシリーズは、低オン抵抗nチャンネル及びpチャンネルトレンチFET技術を備え、鉛(Pb)及びハロゲンフリーSOパッケージに収められています。

TrenchFET Gen IVパワーMOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み、

薄型、高さ1.9 mm

関連ページ