Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 245 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJQ186E-T1_GE3
- RS品番:
- 252-0316
- メーカー型番:
- SQJQ186E-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計：*
￥1,063.00
(税抜)
￥1,169.30
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
納期未定
- 1,844 は 2026年6月01日 に入荷予定
在庫限り。入荷未定。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 58 | ￥531.50 | ￥1,063 |
| 60 - 598 | ￥484.50 | ￥969 |
| 600 - 798 | ￥436.00 | ￥872 |
| 800 - 1598 | ￥388.50 | ￥777 |
| 1600 + | ￥340.50 | ￥681 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 252-0316
- メーカー型番:
- SQJQ186E-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 245A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | TrenchFET Gen IV | |
| パッケージ型式 | PowerPAK （8x8L） | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0014mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 43nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 214W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 高さ | 1.9mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 245A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ TrenchFET Gen IV | ||
パッケージ型式 PowerPAK （8x8L） | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0014mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 43nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 214W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.15mm | ||
高さ 1.9mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay自動車用MOSFETは、専用のプロセスフローで製造されており、堅牢性が維持されています。最大ジャンクション温度定格175 °CのVishay Siliconix AEC-Q101認定SQシリーズは、低オン抵抗nチャンネル及びpチャンネルトレンチFET技術を備え、鉛(Pb)及びハロゲンフリーSOパッケージに収められています。
TrenchFET Gen IVパワーMOSFET
AEC-Q101認定
100 % Rg及びUISテスト済み、
薄型、高さ1.9 mm
関連ページ
- Vishay MOSFET 245 A エンハンスメント型 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）
- Vishay MOSFET 329 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）, SQJQ186ER-T1_GE3
- Vishay MOSFET 329 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）
- Vishay MOSFET 430 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）, SQJQ184E-T1_GE3
- Vishay MOSFET 430 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）, SQJQ184ER-T1_GE3
- Vishay MOSFET 575 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJQ144AE-T1_GE3
- Vishay MOSFET -230 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）, SQJQ141ELR-T1_GE3
- Vishay MOSFET -192 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJQ143EL-T1_GE3