onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A エンハンスメント型, スルーホール, 7-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計：*

￥881,636.00

(税抜)

￥969,800.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月04日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
800 - 800￥1,102.045￥881,636
1600 - 7200￥1,096.354￥877,083
8000 - 11200￥1,090.664￥872,531
12000 - 15200￥1,084.973￥867,978
16000 +￥1,079.284￥863,427

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
254-7664
メーカー型番:
NTBG060N065SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

58A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

NTB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

最大許容損失Pd

117W

順方向電圧 Vf

4.5V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

74nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、44モーム、650 V、M2、D2PAK-7L


ON Semiconductor NTBシリーズのシリコンカーバイドモスフェットは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮する完全に新しい技術を採用しています。さらに、低オン抵抗とコンパクトなチップサイズを備えています。これにより、静電容量とゲート充電が低くなります。したがって、システムの利点には、最高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの削減、システムサイズの削減などがあります。

高いシステム信頼性、超低ゲート充電、高速スイッチング、低静電容量

関連ページ