onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
202-5689
メーカー型番:
NTBG040N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NTB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

3.7V

最大許容損失Pd

357W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

106nC

動作温度 Max

175°C

長さ

10.2mm

幅

4.7 mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

15.7mm

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK−7L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK?7L


ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 60 アンペアと 1200 V で動作します。無停電電源、 DC 又は DC コンバータ、ブーストインバータで使用できます。

40 m Ω のドレイン - ソース間オン抵抗

超低ゲート電荷

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリー

RoHS対応

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