onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A エンハンスメント型, スルーホール, 7-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 254-7662
- メーカー型番:
- NTBG025N065SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 254-7662
- メーカー型番:
- NTBG025N065SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 58A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | NTB | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 22mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22 V | |
| 最大許容損失Pd | 117W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 164nC | |
| 順方向電圧 Vf | 4.5V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 58A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ NTB | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22 V | ||
最大許容損失Pd 117W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 164nC | ||
順方向電圧 Vf 4.5V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、19モーム、650 V、M2、D2PAK-7L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - 19モーム、650 V、M2、D2PAK−7L
ON Semiconductor NTBシリーズのシリコンカーバイドモスフェットは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮する完全に新しい技術を採用しています。さらに、低オン抵抗とコンパクトなチップサイズを備えています。これにより、静電容量とゲート充電が低くなります。したがって、システムの利点には、最高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの削減、システムサイズの削減などがあります。
通信で使用される超低ゲート充電、高速スイッチング、低静電容量