Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 1000 V, 3.1 A, 5 Ω, 80 nC, 3ピン, パッケージ：TO-247AC
- RS品番:
- 256-7301
- メーカー型番:
- IRFPG30PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計：*
￥1,648.00
(税抜)
￥1,812.80
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 404 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 4 | ￥824.00 | ￥1,648 |
| 6 - 10 | ￥787.50 | ￥1,575 |
| 12 - 14 | ￥750.00 | ￥1,500 |
| 16 - 18 | ￥716.00 | ￥1,432 |
| 20 + | ￥680.50 | ￥1,361 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 256-7301
- メーカー型番:
- IRFPG30PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1000V | |
| パッケージ型式 | TO-247AC | |
| シリーズ | IRFPG30 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.8V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 5.21mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1000V | ||
パッケージ型式 TO-247AC | ||
シリーズ IRFPG30 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
順方向電圧 Vf 1.8V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 5.21mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRFPG30シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧1000 V、最大連続ドレイン電流3.1 A - IRFPG30PBF
このパワーMOSFETは、産業用および電力変換用のスルーホール設置用に設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。過酷な熱環境に対応し、かなりの耐電圧と中程度の連続電流を必要とする回路向けに設計されています。これにより、スルーホールTO-247ACパッケージと堅牢な消費電力が利点となります。
特長：
• 最大ドレインソース電圧1000 Vにより、高電圧スイッチング用途を実現 • 125 Wの消費電力により、負荷下での持続的な電力処理が可能 • 3. 1 Aの連続ドレイン電流により、適度な電流供給をサポート • 5 Ωの最大オン抵抗により、低ゲート駆動時の導通損失を最小限に抑制 • 80 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現 • ±150°C/-55°Cの温度範囲により、幅広い動作環境を維持
用途
• 高電圧産業用インバータステージに最適 • スルーホール取り付けを必要とするスイッチモード電源に最適 • 高電圧マージンを備えたモータドライブ保護回路に使用 • 電源回路の大学やワークショップのプロトタイピングに使用可能 • 高電圧スイッチングアセンブリのゲートドライバと併用
どのようなゲートドライブを考慮すべきですか?
定格ゲート電圧で80 nCの標準ゲート充電を予想するため、必要なスイッチング速度を満たし、スイッチング損失を制御するために十分な電流を供給してシンクできるドライバを選択します。
このデバイスの熱管理にはどのように取り組む必要がありますか?
このデバイスは最大125 Wの消費電力を発揮
適切なヒートシンクを使用し、TO-247ACパッケージの熱経路の完全性を確保し、連続動作中にジャンクション温度を制限内に維持します。
このデバイスの環境動作制限は何ですか?
-55°C～+150°Cまでの動作に対応し、産業環境で幅広い温度範囲で使用できます。
どのような機械的な取り付けと接続形式を使用しますか?
3ピンのスルーホールTO-247ACパッケージで提供され、ボルト付きヒートシンクアタッチメントと信頼性の高いはんだ付けボード接続に適しています。
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET 1000 V 5 Ω 3ピン, パッケージ：TO-247AC
- Vishay パワーMOSFET 1 kV 2 Ω 3ピン, パッケージ：TO-247AC
- Vishay MOSFET 1 kV 3.5 Ω 3ピン, パッケージ：TO-247
- Vishay パワーMOSFET 400 V 200 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247AC
- Vishay パワーMOSFET 250 V 75 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247AC
- Vishay パワーMOSFET 60 V 9 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247AC
- Vishay パワーMOSFET -200 V 500 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247AC
- Infineon パワーMOSFET 75 V 1.8 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247