Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, -8 V, -6 A, 0.12 Ω, 19.3 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

RS品番:: 256-7346
メーカー型番:: SI2329DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, -8 V, -6 A, 0.12 Ω, 19.3 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

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RS品番:: 256-7346
メーカー型番:: SI2329DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	-8V
	パッケージ型式	SOT-23
	シリーズ	Si2329DS
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.12Ω
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	19.3nC
	最大許容損失Pd	2.5W
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	5V
	順方向電圧 Vf	-1.2V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	3.04mm
	幅	1.4mm
	規格 / 承認	IEC 61249-2-21, RoHS
	高さ	1.12mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds -8V
	パッケージ型式 SOT-23
	シリーズ Si2329DS
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.12Ω
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19.3nC
	最大許容損失Pd 2.5W
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 5V
	順方向電圧 Vf -1.2V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 3.04mm
	幅 1.4mm
	規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS
	高さ 1.12mm
	自動車規格なし

Datasheet - SI2329DS-T1-GE3

Vishay Si2329DSシリーズMOSFET、最大消費電力2.5W、最大ドレインソース抵抗0.12Ω - SI2329DS-T1-GE3

このPチャンネルMOSFETは、電子アセンブリのスイッチングおよび電源管理用に設計されたコンパクトな表面実装型トランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、小型SOT-23パッケージで低オン抵抗、中程度の電流処理、標準ゲートドライブレベルを必要とする用途に適しています。

特長：

• 0.12Ωの低オン抵抗Rds(on)により、導通損失を低減
• 定格連続ドレイン電流 6A により、高負荷電流に対応
• 最大消費電力 2.5W により、持続的なスイッチングデューティを実現
• ゲート充電Qg 19.3 nCにより、比較的高速なスイッチング性能を実現
• ゲートソース定格電圧 5V により、標準的なロジックレベルのゲートドライブを実現
• 動作範囲:-55°C～150°Cにより、幅広い温度耐性を実現

用途

• ポータブルデバイスのバッテリ保護回路に最適
• コンパクトな家電製品の電源管理に最適
• 自動車の隣接する非認証システムの負荷スイッチングに使用
• DC電源レールのハイサイドスイッチングに使用可能
• SOT-23フットプリントを必要とする表面実装設計に最適

実装にはどのような取付方式が必要ですか？

SOT-23パッケージの表面実装デバイスで、プリント基板へのリフローはんだ付け用に設計されています。

このデバイスはドレインソースでどのような極性と電圧を処理しますか?

このデバイスはPチャンネルタイプで、定格範囲内で使用すると、最大ドレインソース電圧-8Vに対応しています。

熱性能はレイアウトの考慮事項にどのように影響しますか?

最大消費電力は2.5 Wで、プリント基板の銅面積と熱バイアスを備え、熱を分散し、高負荷時にジャンクション温度を維持する必要があります。

ゲートドライブの振幅に制限はありますか?

最大ゲート-ソース差動は5 Vであるため、損傷を防止するためにゲートドライバはこの電圧を超えてはなりません。